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岡安 悟; 笹瀬 雅人; 黒田 直志; 岩瀬 彰宏; 数又 幸生*; 神原 正*
Physica C, 357-360(Part.1), p.501 - 504, 2001/09
溶融法で作製したイットリウム系高温超伝導体(QMG-YBCO)の強いピン止め特性を調べるため、照射により異なる2つのタイプのピン止め欠陥を導入し、ピン止めにおける照射効果の違いを比較した。プロトン照射では結晶のユニットサイズ(~直径15Å)程度の欠陥が試料に導入され、すべての動作温度域で1テスラの磁場付近でピン止め特性が改善された。3.5GeVのXe照射では試料内に直径10Å程度の円柱状欠陥が導入された。この欠陥は強いピン止め効果を期待されたが、もともと強いピン止め力を有するこの系ではあまり効果はなかった。しかしながら転移温度近傍の高い動作温度でピン止め力が回復する現象が観測され、円柱状欠陥によるピン止め力が高温で有効であることが示された。いずれの場合も、基本的なピン止め特性は、試料中にランダムに分布するY211の析出物が支配していることが明らかになった。
岡安 悟; 朝岡 秀人
Physica C, 317-318, p.633 - 636, 1999/05
被引用回数：4 パーセンタイル：28.64(Physics, Applied)ある温度以上の領域では、一度消失したように見えた臨界電流密度Jcが再びさらに高い磁場で復活するという「リエントラント」な現象を、双晶のないYBCO超伝導体において見出した。このリエントラントを示す境界線が相転移かどうか、また相転移であるならば、何次のものであるのかを調べるため、交流磁化率の非線型な応答を調べることで研究した。その結果、この境界線は、既に1次相転移線として知られている磁束の液体~固体の融解曲線と極めて良く似た性質を示すことがわかった。このことは問題の境界線が一次の相転移線を示す直接の証拠ではないものの、その可能性を強く示唆するものである。
岡安 悟; 朝岡 秀人
Physica B; Condensed Matter, 317-318, p.633 - 636, 1999/00
双晶を含まないYBCO単結晶では、従来のものとは異なるピーク効果がみられる。ピーク効果を示す付近で磁化測定を行い、磁化の磁場依存性がln(H/H
)(Hはピーク効果のはじまる特徴的な磁場を表す)で表されることを示した。このHという磁場は2つの異なる磁束状態を隔てる境界線を表している。Hより小さい磁場領域ではピン止め力の極めて小さい状態であるが、Hより大きな磁場領域においてはピン止め力の大きなボルテックスグラス状態となっており、これが特異なピーク効果を引き起こしていると考えられる。
岡安 悟; 朝岡 秀人
Advances in Superconductivity X, p.549 - 552, 1998/00
双晶のない単結晶YBCOでピーク効果を示す第2ピークが、一度なくなったあと再び復活するリエントラントな性質があることを見い出し、これまで知られていた混合状態の相図に新たな相が加わることになった。このリエントラントな境界では交流磁化率の第3高調波が大きく周波数依存を示すことから、この領域は2次相転移またはクロスオーバーであると考えられる。
岡安 悟; 数又 幸生*
Proc. of 9th Int. Symp. on Superconductivity, 0, p.507 - 510, 1997/00
一連の長時間緩和磁化測定から30MeVのプロトン照射をしたQMG-YBCOの試料と未照射の同試料とで活性化エネルギーがどう変化するかを比較した。照射により核衝突で欠陥が試料中に導入されるとすると、その平均的大きさは直径10
程度となる。また照射量1
10
p/cm
では20ppm程度の濃度で欠陥が導入されたことになる。欠陥の濃度はあまり大きくないが、臨界電流密度及び磁束の活性化エネルギーは、20~70Kの温度範囲、~10
A/cmの電流値で著しい改善がみられた。Maleyの式を用いて活性化エネルギーのJ依存性を調べると、照射、未照射どちらの場合もJのべきで表わされる。未照射の試料では全てのJの領域でJ
の依存性であるが、プロトン照射した試料ではJ~310A/cmのあたりを境にJのべきが-2.5(高いJの領域)から-0.8(低いJの領域)へと変化する。
岡安 悟; 数又 幸生*
Czechoslovak Journal of Physics, 46(SUPPL.S3), p.1645 - 1646, 1996/00
OMG法で作製した酸化物超伝導体YBCOに16MeVのプロトンを照射し、磁束のピンニング特性の改善について調べた。磁化の長時間緩和の測定から磁束の活性化エネルギーを求めたところ、U
(J/Jc)
[1-(T/Tx)]
・H
の形で表わされることがわかった。照射量に対する変化は510
ions/cmまでは活性化エネルギー及び臨界電流密度は増大し、ピン止め特性は改善されるが、110まで照射すると、それらの変化は小さくなる。また活性化エネルギーの温度依存関数が、Jのべきから指数関数的に変化することを見い出した。
Cu
O
films irradiated by 120MeV oxygen ions数又 幸生; 岡安 悟; 有賀 武夫
Japanese Journal of Applied Physics, 33(2), p.1012 - 1017, 1994/02
被引用回数：0 パーセンタイル：0(Physics, Applied)YBaCuOx膜に酸素イオンを照射して、超電導特性の変化を調べた。照射量1.310
O
/cm迄、臨界温度に変化はなかった。しかしヒシテリシス曲線から求めた
M及び不可逆曲線は、大きく変化した。照射による帯磁率の減少を、磁束侵入長の増加として解釈した。磁化の時間緩和から磁束の運動に対する活性化エネルギーを算出した。照射による活性化エネルギーの減少とMの減少との間に相関性を見い出した。
